Samsung avanza en el desarrollo de la memoria DDR6 y promete hasta 17 GHz de frecuencia

Todavía estamos en una etapa temprana de implementación y adopción de la memoria RAM DDR5, pero ya sabemos que Samsung ha empezado el desarrollo de su sucesora, la memoria RAM DDR6, y nos ha dejado algunas pinceladas de lo que podemos esperar de esa nueva generación. La verdad es que resulta impresionante, ya que estamos hablando de un tipo de memoria que podrá alcanzar los 17 GHz.

Para entender mejor esos números vamos a dar un poco de contexto a esta información. La memoria RAM DDR4 más utilizada a día de hoy en el mundo gaming ronda entre los 3.200 MHz y los 3.600 MHz, dos valores que son los que ofrecen la mejor relación precio-rendimiento. En el caso de la memoria DDR4, vimos un debut bastante discreto con valores que iban desde los 4.800 MHz hasta los 5.600 MHz, pero ya estamos viendo kits que alcanzan los 6.600 MHz.

La diferencia entre los kits de memoria DDR4 y los de DDR5 es considerable, pero el aumento de frecuencias que permitirá la memoria DDR6 promete ser aún más impresionante, ya que estamos hablando de 17.000 MHz, es decir, casi seis veces más que el valor óptimo de la memoria DDR4. Obviamente, para poder utilizar este tipo de memoria necesitaremos una nueva placa base, como ocurrió con la DDR5.

Según el Vicepresidente de Pruebas y Empaquetado de Sistema (TSP) de Samsung la memoria RAM DDR6 se encentra en una etapa temprana de desarrollo, y utilizará la tecnología MSAP, que ya está siendo utilizada por algunos de sus rivales más importantes, como Micron y SK Hynix, en los kits de memoria DDR5. MSAP son las siglas de «Modified Semi-Additive Process«, y en esencia lo que permite es crear módulos de memoria con circuitos más finos. Para conseguirlo se revisten patrones de circuitos en espacios vacíos que quedaron sin utilizar.

En teoría, la tecnología MSAP permite mejorar las conexiones y aumentar las velocidades de transferencia, aunque no se trasladará tal cual a la memoria DDR6, sino que se utilizará de una manera mejorada para adaptarla al mayor número de capas que se utilizarán en este nuevo estándar de memoria.

A efectos comparativos, con la memoria DDR4 podemos alcanzar unas velocidades de  5.333 MHz gracias al overclock, cifra que sube hasta los 8.500 MHz con la DDR5 y que llegaría a los 17.000 MHz con la memoria DDR6, como hemos dicho anteriormente. Samsung está convencida de que el diseño finalizará en 2024, pero el lanzamiento de los primeros kits no tendrá lugar hasta 2025.

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