Samsung presenta un módulo DDR5 de RAM ¡con 512 GB!

Samsung tiene grandes planes para la nueva generación de memoria RAM y ha anunciado un módulo DDR5 con 512 GB. Una auténtica barbaridad que tendrá su destino en servidores y centros de datos, pero que adelanta también grandes novedades para los consumidores.

Ya te hemos contado en varios artículos que las memorias DDR5 están en la rampa de lanzamiento y son importantes ante la relevancia que tienen estas memorias de acceso aleatorio y porque los cambios de generación tardan en producirse bastantes años y suelen ofrecer novedades de interés. En este caso frente a DDR4, ventajas de rendimiento, consumo energético, operaciones y también capacidad.

Módulo DDR5 de 512 GB

Y de capacidad hablamos principalmente porque el módulo DDR5 presentado por Samsung tiene 512 Gbytes, nada menos. Samsung lidera (junto a Intel) el mercado de los semiconductores por ingresos, y como era de esperar será uno de los fabricantes destacados en la nueva generación de memorias.

El módulo presentado es el primero de la industria con esa capacidad. Se ha fabricado en tecnología de proceso High-K Metal Gate (HKMG) que la compañía estrenó para las memorias GDDR6. Samsung ha apilado ocho capas de chips DRAM de 16 Gb para alcanzar esta enorme capacidad. Ninguna placa base de consumo la soportará y como es obvio está destinada a servidores y centros de datos, «para cargas de trabajo de gran ancho de banda y con gran demanda de proceso en supercomputación, inteligencia artificial (IA) y aprendizaje automático ( ML), así como aplicaciones de análisis de datos», explican.

Esperamos que esta mejora en la densidad también llegue al mercado de consumo y podamos adquirir módulos con capacidad superior al mismo precio de otros inferiores DDR4. El aumento de la capacidad de los módulos también permitirá aumentar el máximo de la RAM instalada en los cuatro slots que de manera general incluye una placa base de consumo.

La reducción de las estructuras DRAM y el adelgazamiento de la capa de aislamiento con el uso de HKMG, también ha permitido a Samsung reducir el consumo de los chips en un 13%, lo que la convierte en especialmente adecuada para centros de datos donde la eficiencia energética es un apartado crítico. En cuanto a rendimiento, Samsung dice que doblará el ancho de banda de DDR4 con 7.200 megabits por segundo (Mbps).

Es habitual en cada salto de generación. Al igual que DDR4 ofreció grandes mejoras en rendimiento sobre DDR3, DDR5 lo hará sobre las anteriores. Entre sus características destaca la posibilidad de doblar la frecuencia de trabajo base de DDR4 situada en 2.133 MHz, hasta 4.266 MHz en DDR5 y con un máximo de 6.400 MHz. Todo ello sobre valores normalizados porque en la práctica pueden ser superiores y los fabricantes practican técnicas de overclocking para aumentar la frecuencia de trabajo base.

Se espera que las primeras memorias DDR5 lleguen a servidores y centros de datos este mismo año (si la pandemia del COVID no lo impide) y a comienzos del próximo año a los ordenadores personales con plataformas como ‘Alder Lake’ de Intel. Su despliegue será muy gradual y se repetirá una situación similar a la que vivimos con la transición de la memoria DDR3 a DDR4, coexistiendo varias generaciones durante algunos años.

En cuanto a precios, esperamos que un módulo DDR5 con la misma capacidad que DDR4 sea sensiblemente más económico por las cuestiones mencionadas de mejora en la densidad y tecnologías de fabricación. El problema es que necesitaremos presupuesto adicional (y no menor) para adquirir las nuevas placas base que las soportarán y seguramente nuevos procesadores.

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