El salto a los 2 nm sería posible, pero nada rentable

Nos estamos acercando a los límites teóricos del silicio en la fabricación de semiconductores. Es un hecho innegable, aunque los expertos no terminan de ponerse de acuerdo en el “techo” de dicho material, ya que algunos lo han ubicado en 3 nm y otros han confirmado que sería posible llegar a los 2 nm.

Aunque parezca una diferencia mínima (reducción de 1 nm) debemos tener en cuenta que supone un salto importante porque implica vencer ese límite teórico del silicio y superar unas barreras muy complejas, ya que la reducción del proceso de fabricación afecta a elementos tan importantes como las puertas lógicas que controlan las operaciones de bloqueo y de paso de electricidad. Con el salto a los 2 nm las fugas de electricidad ocurridas en esas puertas lógicas podrían acabar siendo un problema que impida al chip trabajar con normalidad y que limite su viabilidad comercial.

Pero ese no sería el único problema. Según los expertos la gestión general de la energía en chips fabricados a 2 nm sería un desafío muy grande que complicaría también en gran medida el diseño de semiconductores funcionales en dicho proceso.

A todo esto debemos sumar los costes y la inversión que tendrían que afrontar los principales fabricantes de semiconductores para poder iniciar la producción de chips en 2 nm, que sería tan grande que podría no ser rentabilizada por completo ni siquiera a largo plazo.

Esto implica que el salto de los 3 nm a los 2 nm no aportaría ventajas suficientes para compensar el gasto que requiere, ni siquiera a pesar de que tendría un impacto menor en una oblea de 300 mm y que en teoría permitiría obtener más chips por unidad.

No hay duda de que la mejora de los procesos productivos de semiconductores acabará alargándose y estancándose en los próximos años, una realidad que se mantendrá hasta que encontremos alternativas puras o mixtas (combinadas) al silicio.

Más información: DvHardware.

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